| タイプ | 説明 |
| 製造元 | Texas Instruments |
| シリーズ | NexFET™ |
| パッケージ | テープ&リール(TR) |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | 5-LGA |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| 構成 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| パワー - 最大 | 8W |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 30A |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1150pF @ 15V |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 7.7mOhm @ 25A, 8V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 9.2nC @ 4.5V |
| FETの特徴 | Logic Level Gate |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1.9V @ 250µA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 5-PTAB (5x3.5) |
