ソリューションプロバイダー
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| タイプ | 説明 |
| 製造元 | Texas Instruments |
| シリーズ | NexFET™ |
| パッケージ | テープ＆リール（TR） |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| 構成 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 動作温度 | -55°C ~ 125°C |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| パワー - 最大 | 6W |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 25V |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V |
| FETの特徴 | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-VSON (3.3x3.3) |
